首尔： 三星电子表示，其下一代HBM4高带宽内存产品预计将于2026年第一季度开始交付。该公司称，HBM4产品线将包括性能高达11.7Gbps的产品，旨在扩大用于人工智能服务器和加速器的内存销售。三星并未透露首批HBM4交付的客户，也未在其财报中披露出货量。
三星在其2025年第四季度及全年业绩报告中表示，其内存业务季度营收和营业利润均创历史新高，这主要得益于HBM、服务器DDR5和企业级固态硬盘等高价值产品的销售增长。该公司指出，尽管人工智能计算的需求持续推高数据中心对先进内存和存储设备的消耗，但供应有限仍然是影响业绩的因素之一。
高带宽内存（HBM）是一种垂直堆叠式DRAM 技术，旨在提高数据吞吐量，优于传统DRAM。HBM4是继HBM3E之后的最新一代产品。在随财报发布的投资者报告中，三星表示计划开始交付HBM4“量产产品”，其中包括11.7 Gbps版本，并指出HBM4的“及时出货”是其近期人工智能相关产品展望的一部分。
全球最大的AI数据中心加速器供应商英伟达(Nvidia)推出了Rubin平台，该公司表示该平台在多种系统配置中均采用HBM4显存。在英伟达Vera Rubin NVL72机架式系统的产品规格页面上，该公司列出了单个Rubin GPU的20.7TB HBM4显存（带宽为1580TB/s）和288GB HBM4显存（带宽为22TB/s），并指出这些数据为初步数据，可能会有所变动。
Rubin平台内存要求
三星的业绩报告还指出，公司在与人工智能计算相关的先进半导体制造和封装领域开展了更广泛的工作。报告称，其晶圆代工业务已开始量产第一代2纳米产品，并开始出货4纳米HBM基片产品，这些组件用于高带宽存储器堆叠的逻辑层。 三星表示，计划通过整合逻辑、存储和先进封装技术，提供优化的解决方案。
其他主要内存制造商也公布了其HBM4的上市时间表。SK海力士在2025年9月表示，已完成HBM4的研发和准备工作，并已准备好量产系统。美光在2025年12月的投资者报告中表示，其HBM4（速度超过11Gbps）正按计划推进，将于2026年第二季度实现高良率量产，与客户的平台量产计划相符。
相互竞争的HBM4路线图
美光科技在介绍其HBM4项目时表示，HBM4在基础逻辑芯片和DRAM芯片上采用了先进的CMOS和金属化技术，这些芯片均为自主设计和制造。美光科技还指出，封装和测试能力对于实现性能和功耗目标至关重要。SK海力士则将HBM4描述为堆叠式存储器发展历程中的一次重大进步，旨在为超高性能人工智能提供解决方案，其中带宽和能效是数据中心运行的核心要求。
三星的财报材料并未将HBM4的交付计划与任何具体的AI处理器项目或客户部署计划联系起来。英伟达的Rubin项目公告和已公布的规格说明均未指明HBM4的供应商， 英伟达也未披露Rubin系统所用HBM4的供应商分配情况。三星在其财报中确认的时间表是，HBM4预计将于2026年第一季度开始交付。——内容联合服务公司供稿。
这篇题为“三星瞄准第一季度交付HBM4以应对人工智能热潮”的文章最初发表于《阿联酋公报》 。